
IXBH12N300 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BIMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2621.26 грн |
5+ | 2437.16 грн |
10+ | 2254.75 грн |
25+ | 1923.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH12N300 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BIMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXBH12N300 за ціною від 1825.46 грн до 3061.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXBH12N300 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 160 W |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXBH12N300 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXBH12N300 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXBH12N300 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3 Collector current: 12A Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 460ns Turn-off time: 705ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 160W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 62nC Technology: BiMOSFET™; FRED Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 3kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXBH12N300 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3 Collector current: 12A Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 460ns Turn-off time: 705ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 160W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 62nC Technology: BiMOSFET™; FRED Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 3kV Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |