.jpg "IXBH12N300")
IXBH12N300 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 3000V 30A 160W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2221.42 грн |
| 30+ | 1773.49 грн |
| 120+ | 1662.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH12N300 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BIMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXBH12N300 за ціною від 1542.85 грн до 2614.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH12N300 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXBH12N300 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BIMOSFET Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXBH12N300 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXBH12N300 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 3kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 62nC Technology: BiMOSFET™; FRED Collector current: 12A Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 460ns Turn-off time: 705ns Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 160W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXBH12N300 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 3kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 62nC Technology: BiMOSFET™; FRED Collector current: 12A Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 460ns Turn-off time: 705ns Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 160W |
товар відсутній |