IXBH12N300 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BIMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2652.84 грн |
| 5+ | 2466.52 грн |
| 10+ | 2281.92 грн |
| 25+ | 1946.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH12N300 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BIMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXBH12N300
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH12N300 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|
 |
IXBH12N300 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 3000V 30A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 160 W |
товару немає в наявності |
|
 |
IXBH12N300 | Виробник : IXYS |
IGBTs TO247 3KV 12A IGBT |
товару немає в наявності |
|
 |
IXBH12N300 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3 Features of semiconductor devices: high voltage Technology: BiMOSFET™; FRED Type of transistor: IGBT Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 62nC Turn-on time: 460ns Turn-off time: 705ns Collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 160W Collector-emitter voltage: 3kV |
товару немає в наявності |