IXBH16N170 Ixys Corporation


media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1178.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH16N170 Ixys Corporation

Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A, Supplier Device Package: TO-247AD, Gate Charge: 72 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IXBH16N170 за ціною від 630.76 грн до 1245.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-16n170-datasheet?assetguid=803acd33-1022-4639-8291-dfbc7a628038 Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1194.13 грн
30+715.99 грн
120+630.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-off time: 940ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 72nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 220ns
Kind of package: tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1245.59 грн
5+1051.32 грн
10+970.07 грн
30+834.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_16N170_Datasheet.PDF IGBTs 1700V 25A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 littelfuse-discrete-igbts-ixb-16n170-datasheet?assetguid=803acd33-1022-4639-8291-dfbc7a628038
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1194.13 грн
30+715.99 грн
120+630.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170_IXBT16N170.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-off time: 940ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 72nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 220ns
Kind of package: tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1245.59 грн
5+1051.32 грн
10+970.07 грн
30+834.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_16N170_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBTs 1700V 25A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.