Продукція > IXYS CORPORATION > IXBH16N170
IXBH16N170

IXBH16N170 Ixys Corporation

media.pdf Виробник: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1009.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH16N170 Ixys Corporation

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Turn-on time: 220ns, Gate charge: 72nC, Turn-off time: 940ns, Collector current: 16A, Technology: BiMOSFET™; FRED, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 120A, Power dissipation: 250W, Features of semiconductor devices: high voltage, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Type of transistor: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBH16N170 за ціною від 619.88 грн до 1365.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1D403AC24D8BF&compId=IXBH16N170_IXBT16N170.pdf?ci_sign=99fdcaa3f44a5923a6c9831dbd85a52c6be844b2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1020.43 грн
2+676.59 грн
4+640.36 грн
30+619.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1D403AC24D8BF&compId=IXBH16N170_IXBT16N170.pdf?ci_sign=99fdcaa3f44a5923a6c9831dbd85a52c6be844b2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1224.51 грн
2+843.13 грн
4+768.43 грн
30+743.85 грн
510+738.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-BiMOSFET-IXB-16N170-Datasheet.PDF IGBTs 1700V 25A
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1365.59 грн
10+858.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.