IXBH16N170 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1196.79 грн |
| 30+ | 717.58 грн |
| 120+ | 632.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH16N170 IXYS
Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A, Supplier Device Package: TO-247AD, Gate Charge: 72 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції IXBH16N170 за ціною від 783.54 грн до 1473.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH16N170 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Collector current: 16A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 250W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™; FRED Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-on time: 220ns Gate charge: 72nC Turn-off time: 940ns |
на замовлення 330 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXBH16N170 | IXYS |
IGBTs 1700V 25A |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXBH16N170 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1248.37 грн |
| 5+ | 1053.66 грн |
| 10+ | 972.23 грн |
| 30+ | 835.95 грн |
| IXBH16N170 |
|
Виробник: IXYS
IGBTs 1700V 25A
IGBTs 1700V 25A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1473.88 грн |
| 10+ | 1064.61 грн |
| 120+ | 783.54 грн |