Продукція > IXYS > IXBH16N170
IXBH16N170

IXBH16N170 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1D403AC24D8BF&compId=IXBH16N170_IXBT16N170.pdf?ci_sign=99fdcaa3f44a5923a6c9831dbd85a52c6be844b2 Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 940ns
Turn-on time: 220ns
Pulsed collector current: 120A
Kind of package: tube
Collector current: 16A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+779.64 грн
2+676.00 грн
3+653.20 грн
4+639.06 грн
10+630.41 грн
30+613.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH16N170 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3, Mounting: THT, Power dissipation: 250W, Type of transistor: IGBT, Turn-off time: 940ns, Turn-on time: 220ns, Pulsed collector current: 120A, Kind of package: tube, Collector current: 16A, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 72nC, Gate-emitter voltage: ±20V, Technology: BiMOSFET™; FRED, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBH16N170 за ціною від 619.53 грн до 1050.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1D403AC24D8BF&compId=IXBH16N170_IXBT16N170.pdf?ci_sign=99fdcaa3f44a5923a6c9831dbd85a52c6be844b2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 940ns
Turn-on time: 220ns
Pulsed collector current: 120A
Kind of package: tube
Collector current: 16A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+935.56 грн
2+842.40 грн
3+783.85 грн
4+766.87 грн
10+756.49 грн
30+736.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1019.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS media-3321427.pdf IGBTs 1700V 25A
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1050.28 грн
10+912.92 грн
30+750.08 грн
120+653.49 грн
270+645.94 грн
510+619.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.