Продукція > IXYS CORPORATION > IXBH16N170
IXBH16N170

IXBH16N170 Ixys Corporation

media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1220.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 12 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH16N170 Ixys Corporation

Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A, Supplier Device Package: TO-247AD, Gate Charge: 72 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IXBH16N170 за ціною від 722.63 грн до 1606.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1451.04 грн
2+865.15 грн
4+817.60 грн
60+813.36 грн
120+786.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=803ACD33-1022-4639-8291-DFBC7A628038&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-BiMOSFET-IXB-16N170-Datasheet.PDF Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1498.93 грн
30+907.21 грн
120+789.94 грн
510+722.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_16N170_Datasheet.PDF IGBTs 1700V 25A
на замовлення 287 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1606.29 грн
10+1193.99 грн
120+903.58 грн
510+881.01 грн
1020+853.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170_IXBT16N170.pdf
IXBH16N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1451.04 грн
2+865.15 грн
4+817.60 грн
60+813.36 грн
120+786.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 media?resourcetype=datasheets&itemid=803ACD33-1022-4639-8291-DFBC7A628038&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-BiMOSFET-IXB-16N170-Datasheet.PDF
IXBH16N170
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1498.93 грн
30+907.21 грн
120+789.94 грн
510+722.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_16N170_Datasheet.PDF
IXBH16N170
Виробник: IXYS
IGBTs 1700V 25A
на замовлення 287 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1606.29 грн
10+1193.99 грн
120+903.58 грн
510+881.01 грн
1020+853.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.