Продукція > IXYS CORPORATION > IXBH16N170
IXBH16N170

IXBH16N170 Ixys Corporation

media.pdf Виробник: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1090.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH16N170 Ixys Corporation

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3, Mounting: THT, Collector current: 16A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 120A, Power dissipation: 250W, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Technology: BiMOSFET™; FRED, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Turn-on time: 220ns, Gate charge: 72nC, Turn-off time: 940ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBH16N170 за ціною від 710.75 грн до 1457.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1183.52 грн
5+931.65 грн
10+845.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-16n170-datasheet?assetguid=803acd33-1022-4639-8291-dfbc7a628038 Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1345.58 грн
30+806.79 грн
120+710.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1420.22 грн
5+1160.98 грн
10+1015.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_16N170_Datasheet.PDF IGBTs 1700V 25A
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1457.82 грн
10+916.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170 IXBH16N170 Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.