IXBH16N170A

IXBH16N170A Littelfuse


littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170adatasheet.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+631.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH16N170A Littelfuse

Description: IGBT 1700V 16A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns, Switching Energy: 1.2mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції IXBH16N170A за ціною від 560.75 грн до 1218.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBH16N170A IXBH16N170A Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170adatasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+780.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH16N170A Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-16n170a-datasheet?assetguid=0e64b56f-f1db-4402-935e-833c7ae1d9a8 Description: IGBT 1700V 16A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1099.53 грн
30+650.27 грн
120+560.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH16N170A Виробник : IXYS media-3319507.pdf IGBTs 1700V 16A
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1218.43 грн
10+1080.41 грн
30+641.41 грн
120+605.19 грн
510+597.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH16N170A Виробник : Littelfuse elfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170a_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH16N170A Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170adatasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH16N170A Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170A IXBH16N170A Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.