Продукція > Транзистори > IGBT > IXBH24N170 (транзистор)

IXBH24N170 (транзистор)

Код товару: 43528
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXBH24N170 (транзистор) за ціною від 1125.42 грн до 1877.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXBH24N170 IXBH24N170 IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1842.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170 IXBH24N170 IXYS DS100190AIXBHBT24N170.pdf Description: IGBT 1700V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1877.60 грн
30+1172.71 грн
120+1125.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170 IXBH24N170 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_24N170_Datasheet.PDF IGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170 IXBH(t)24N170.pdf
IXBH24N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1842.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170 DS100190AIXBHBT24N170.pdf
IXBH24N170
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1877.60 грн
30+1172.71 грн
120+1125.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170 Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_24N170_Datasheet.PDF
IXBH24N170
Виробник: IXYS
IGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.