IXBH24N170 (транзистор)
Код товару: 43528
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXBH24N170 (транзистор) за ціною від 1864.12 грн до 1864.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH24N170 | IXYS |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC Turn-on time: 190ns Turn-off time: 1285ns Collector current: 24A Pulsed collector current: 230A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 250W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IXBH24N170 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1864.12 грн |