IXBH24N170 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1458.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH24N170 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Collector current: 24A, Power dissipation: 250W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 230A, Mounting: THT, Gate charge: 0.14µC, Kind of package: tube, Turn-on time: 190ns, Turn-off time: 1285ns, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBH24N170 за ціною від 1138.75 грн до 1991.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXBH24N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 230A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Turn-on time: 190ns Turn-off time: 1285ns Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXBH24N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1700V 60A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 140 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXBH24N170 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors BIMOSFETS 1700V 60A |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXBH24N170(транзистор ) Код товару: 43528 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IXBH24N170 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |