Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXBH42N170 за ціною від 1197.28 грн до 2280.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH42N170 | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT 1700V 80A TO-247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 188 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 360 W |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXBH42N170 | Виробник : IXYS |
IGBTs 1700V 75A |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXBH42N170 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BIMOSFET Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IXBH42N170 |
BIMOSFET IGBT 1700V, Ic25=75A, Ic90=42A, 300Вт, TO-247AD Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXBH42N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; FRED Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 42A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 188nC Kind of package: tube Turn-on time: 224ns Turn-off time: 1.07µs Features of semiconductor devices: high voltage |
товару немає в наявності |