Продукція > LITTELFUSE > IXBH42N170
IXBH42N170

IXBH42N170 Littelfuse

telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1508.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH42N170 Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: BIMOSFET, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

Інші пропозиції IXBH42N170 за ціною від 1285.06 грн до 2447.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBH42N170 IXBH42N170 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n170-datasheet?assetguid=d2e8687d-05d2-4f90-ad6a-41a0f0332343 Description: IGBT 1700V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2129.67 грн
30+1333.34 грн
120+1285.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170 IXBH42N170 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_42N170_Datasheet.PDF IGBTs 1700V 75A
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2375.50 грн
10+1956.80 грн
120+1488.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170 IXBH42N170 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2447.48 грн
5+2352.77 грн
10+2257.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170 IXBH42N170
Код товару: 40513
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n170-datasheet?assetguid=d2e8687d-05d2-4f90-ad6a-41a0f0332343 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.