Продукція > Транзистори > IGBT > IXBH42N170

IXBH42N170

littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n170-datasheet?assetguid=d2e8687d-05d2-4f90-ad6a-41a0f0332343
Код товару: 40513
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXBH42N170 за ціною від 1180.65 грн до 1956.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXBH42N170 IXBH42N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n170-datasheet?assetguid=d2e8687d-05d2-4f90-ad6a-41a0f0332343 Description: IGBT 1700V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1956.65 грн
30+1225.02 грн
120+1180.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170 IXBH42N170 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_42N170_Datasheet.PDF IGBTs 1700V 75A
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170 IXBH42N170 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170 littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n170-datasheet?assetguid=d2e8687d-05d2-4f90-ad6a-41a0f0332343
IXBH42N170
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1956.65 грн
30+1225.02 грн
120+1180.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170 Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_42N170_Datasheet.PDF
IXBH42N170
Виробник: IXYS
IGBTs 1700V 75A
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170 LFSI-S-A0007907321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXBH42N170
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.