IXBH42N170 Littelfuse
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1277.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH42N170 Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: BIMOSFET, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції IXBH42N170 за ціною від 1157.01 грн до 2071.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH42N170 | Виробник : IXYS |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; FRED Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 42A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 188nC Kind of package: tube Turn-on time: 224ns Turn-off time: 1.07µs Features of semiconductor devices: high voltage |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXBH42N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; FRED Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 42A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 188nC Kind of package: tube Turn-on time: 224ns Turn-off time: 1.07µs Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXBH42N170 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 1700V 75A |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXBH42N170 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BIMOSFET Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXBH42N170 Код товару: 40513 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
IXBH42N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1700V 80A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 188 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 360 W |
товар відсутній |