Продукція > IXYS > IXBH42N170A
IXBH42N170A

IXBH42N170A IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n170a-datasheet?assetguid=1ac16b7d-7a34-4c4a-86e3-a2f8dcb4c5d9 Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 42A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/200ns
Switching Energy: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 265 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1600.46 грн
30+1106.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH42N170A IXYS

Description: IGBT 1700V 42A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 330 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/200ns, Switching Energy: 3.43mJ (on), 430µJ (off), Test Condition: 850V, 21A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 188 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 265 A, Power - Max: 357 W.

Інші пропозиції IXBH42N170A за ціною від 2124.64 грн до 2854.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBH42N170A IXBH42N170A Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_42N170A_Datasheet.PDF IGBTs BIMOSET 42A 1700V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2854.95 грн
10+2124.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170A IXBH42N170A Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF8470C3B0F820&compId=IXBH(t)42N170A.pdf?ci_sign=73101f7c52db6aeeb6aa4472f2d3884735132435 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 188nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Power dissipation: 357W
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 265A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.