IXBH6N170 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1119.12 грн |
| 30+ | 664.05 грн |
| 120+ | 573.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH6N170 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3, Mounting: THT, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Gate charge: 17nC, Turn-on time: 104ns, Turn-off time: 700ns, Collector current: 6A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 36A, Power dissipation: 75W, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Technology: BiMOSFET™, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBH6N170 за ціною від 733.29 грн до 1208.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH6N170 | Виробник : IXYS |
IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXBH6N170 Код товару: 83906
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
||||||||
 |
IXBH6N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate charge: 17nC Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Collector current: 6A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 36A Power dissipation: 75W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IXBH6N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate charge: 17nC Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Collector current: 6A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 36A Power dissipation: 75W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ |
товару немає в наявності |