IXBH6N170 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 12A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
Description: IGBT 1700V 12A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 890.28 грн |
| 30+ | 517.25 грн |
| 120+ | 442.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH6N170 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 6A, Pulsed collector current: 36A, Turn-on time: 104ns, Turn-off time: 700ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 75W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 17nC, Technology: BiMOSFET™, Mounting: THT, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBH6N170 за ціною від 498.57 грн до 908.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH6N170 | Виробник : IXYS |
 IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXBH6N170 Код товару: 83906
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
||||||||||||
 |
IXBH6N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 6A Pulsed collector current: 36A Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 17nC Technology: BiMOSFET™ Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXBH6N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 6A Pulsed collector current: 36A Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 17nC Technology: BiMOSFET™ Mounting: THT Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |