Продукція > IXYS > IXBK55N300
IXBK55N300

IXBK55N300 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB0714D9906B820&compId=IXBK55N300.pdf?ci_sign=f45794269312c1c9f7aac4b8d33880683a0ee457 Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO264
Gate charge: 335nC
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 637ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6839.78 грн
10+6204.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBK55N300 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Mounting: THT, Case: TO264, Gate charge: 335nC, Turn-off time: 475ns, Turn-on time: 637ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 55A, Pulsed collector current: 600A, Power dissipation: 625W, Collector-emitter voltage: 3kV, Kind of package: tube, Technology: BiMOSFET™, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBK55N300 за ціною від 6345.72 грн до 8207.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBK55N300 IXBK55N300 Виробник : IXYS Description: IGBT 3000V 130A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7955.25 грн
25+6345.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300 IXBK55N300 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB0714D9906B820&compId=IXBK55N300.pdf?ci_sign=f45794269312c1c9f7aac4b8d33880683a0ee457 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO264
Gate charge: 335nC
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 637ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8207.74 грн
10+7732.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 3000V 130A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300 IXBK55N300 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_55N300_Datasheet.PDF IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.