IXBK64N250 IXYS
Виробник: IXYSDescription: BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9971.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBK64N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264, Mounting: THT, Power dissipation: 735W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 400nC, Technology: BiMOSFET™; FRED, Case: TO264, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Gate-emitter voltage: ±25V, Collector current: 64A, Pulsed collector current: 600A, Turn-on time: 632ns, Turn-off time: 397ns, Type of transistor: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBK64N250 за ціною від 8508.73 грн до 10680.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBK64N250 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors BIMOSFET 2500V 75A |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXBK64N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 735W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 400nC Technology: BiMOSFET™; FRED Case: TO264 Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 64A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 632ns Turn-off time: 397ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXBK64N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 735W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 400nC Technology: BiMOSFET™; FRED Case: TO264 Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 64A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 632ns Turn-off time: 397ns Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |