Продукція > IXYS > IXBK64N250
IXBK64N250

IXBK64N250 IXYS


littelfuse-discrete-igbts-ixb-64n250-datasheet?assetguid=6f198893-d712-49ff-908d-12cba0a8ef2b Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
на замовлення 285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7496.43 грн
25+6060.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBK64N250 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264, Mounting: THT, Power dissipation: 735W, Pulsed collector current: 600A, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Collector current: 64A, Gate-emitter voltage: ±25V, Technology: BiMOSFET™; FRED, Case: TO264, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Kind of package: tube, Gate charge: 400nC, Turn-off time: 397ns, Turn-on time: 632ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBK64N250 за ціною від 5908.49 грн до 8215.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBK64N250 IXBK64N250 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_64n250_datasheet.pdf IGBTs BIMOSFET 2500V 75A
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8215.60 грн
10+6799.11 грн
100+5908.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250 IXBK64N250 Виробник : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_64n250_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250 IXBK64N250 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF10A8A1ED318BF&compId=IXBK(X)64N250.pdf?ci_sign=1acedd6822cd20d6bde99e37f87b21e81c614e11 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 64A
Gate-emitter voltage: ±25V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 400nC
Turn-off time: 397ns
Turn-on time: 632ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250 IXBK64N250 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF10A8A1ED318BF&compId=IXBK(X)64N250.pdf?ci_sign=1acedd6822cd20d6bde99e37f87b21e81c614e11 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 64A
Gate-emitter voltage: ±25V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 400nC
Turn-off time: 397ns
Turn-on time: 632ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.