IXBK75N170 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 1700V 200A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3740.03 грн |
| 25+ | 2560.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBK75N170 IXYS
Description: IGBT 1700V 200A TO-264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-264AA, Gate Charge: 350 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A, Power - Max: 1040 W.
Інші пропозиції IXBK75N170 за ціною від 4275.00 грн до 4697.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBK75N170 | Виробник : IXYS |
IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXBK75N170 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXBK75N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.35µC Turn-on time: 277ns Turn-off time: 840ns Power dissipation: 1.04kW Collector current: 75A Pulsed collector current: 580A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |