Продукція > IXYS > IXBN42N170A
IXBN42N170A

IXBN42N170A IXYS


IXBN42N170A.pdf Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 21A
Power dissipation: 313W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2266.78 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBN42N170A IXYS

Description: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 312 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V.

Інші пропозиції IXBN42N170A за ціною від 2097.06 грн до 3208.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXBN42N170A IXBN42N170A Виробник : IXYS IXBN42N170A.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 21A
Power dissipation: 313W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2720.14 грн
10+ 2580.74 грн
IXBN42N170A IXBN42N170A Виробник : IXYS ixyss06646_1-2272244.pdf IGBT Transistors 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3208.37 грн
10+ 2950.17 грн
30+ 2457.75 грн
100+ 2227.26 грн
500+ 2101.05 грн
1000+ 2097.06 грн
IXBN42N170A IXBN42N170A Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn42n170a_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
товар відсутній