Продукція > IXYS > IXBN42N170A
IXBN42N170A

IXBN42N170A IXYS

IXBN42N170A.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3043.63 грн
3+2540.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBN42N170A IXYS

Description: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 312 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V.

Інші пропозиції IXBN42N170A за ціною від 4598.86 грн до 5116.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBN42N170A IXBN42N170A Виробник : Ixys Corporation littelfuse-discrete-igbts-bimosfet-ixbn42n170a-datasheet.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+5116.05 грн
4+4598.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A Виробник : Littelfuse littelfuse-discrete-igbts-bimosfet-ixbn42n170a-datasheet.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A Виробник : IXYS Description: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXBN42N170A_Datasheet.PDF IGBTs 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.