Інші пропозиції IXBP5N160G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBP5N160G | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXBP5N160G | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.6kV; 3.5A; 68W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube Power dissipation: 68W Gate charge: 26nC Technology: BiMOSFET™ Features of semiconductor devices: high voltage Pulsed collector current: 6A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 340ns Turn-off time: 190ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3.5A Collector-emitter voltage: 1.6kV кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXBP5N160G | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220-3 Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V Gate Charge: 26 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Power - Max: 68 W |
товар відсутній |
|
 |
IXBP5N160G | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 5 Amps 1600V |
товар відсутній |
|
|
|
IXBP5N160G | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.6kV; 3.5A; 68W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube Power dissipation: 68W Gate charge: 26nC Technology: BiMOSFET™ Features of semiconductor devices: high voltage Pulsed collector current: 6A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 340ns Turn-off time: 190ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3.5A Collector-emitter voltage: 1.6kV |
товар відсутній |