IXBT10N170 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Power dissipation: 140W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 673.69 грн |
| 3+ | 562.08 грн |
| 10+ | 523.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT10N170 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268, Type of transistor: IGBT, Technology: BiMOSFET™, Power dissipation: 140W, Case: TO268, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Features of semiconductor devices: high voltage, Pulsed collector current: 40A, Turn-on time: 63ns, Turn-off time: 1.8µs, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 10A.
Інші пропозиції IXBT10N170
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBT10N170 | IXYS |
Description: IGBT 1700V 20A 140W TO268 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXBT10N170 | IXYS |
IGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXBT10N170 |
|
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 20A 140W TO268
Description: IGBT 1700V 20A 140W TO268
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXBT10N170 |
|
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
IGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.