Продукція > IXYS > IXBT10N170
IXBT10N170

IXBT10N170 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE78C511FA9820&compId=IXBH(T)10N170.pdf?ci_sign=0c9673a4b5e2be6f1c4996b39032c9983fb1a0e9 Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Power dissipation: 140W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+625.81 грн
2+574.04 грн
3+522.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT10N170 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268, Case: TO268, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Gate charge: 30nC, Turn-on time: 63ns, Turn-off time: 1.8µs, Power dissipation: 140W, Collector current: 10A, Pulsed collector current: 40A, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Technology: BiMOSFET™, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBT10N170 за ціною від 626.56 грн до 750.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBT10N170 IXBT10N170 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE78C511FA9820&compId=IXBH(T)10N170.pdf?ci_sign=0c9673a4b5e2be6f1c4996b39032c9983fb1a0e9 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Power dissipation: 140W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+750.98 грн
2+715.34 грн
3+626.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT10N170 IXBT10N170 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_10n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 20A 140W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT10N170 IXBT10N170 Виробник : IXYS ixyss06337_1-2272239.pdf IGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.