Продукція > IXYS > IXBT12N300HV
IXBT12N300HV

IXBT12N300HV IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixb-12n300hv-datasheet?assetguid=ab24dcf4-1e21-4218-9669-c9c01e669b5c Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 30A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3277.56 грн
30+2211.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT12N300HV IXYS

Description: IGBT 3000V 30A TO-268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT), Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns, Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 160 W.

Інші пропозиції IXBT12N300HV за ціною від 2846.58 грн до 3542.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBT12N300HV IXBT12N300HV Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-BiMOSFET-IXB-12N300HV-Datasheet.PDF IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3542.91 грн
10+2846.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HV IXBT12N300HV Виробник : Littelfuse lfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300hv_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HV IXBT12N300HV Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300hv_datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160W 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HV IXBT12N300HV Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-12n300hv-datasheet?assetguid=ab24dcf4-1e21-4218-9669-c9c01e669b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 180ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 98A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.