на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2634.12 грн |
| 10+ | 2313.84 грн |
| 30+ | 1892.47 грн |
| 60+ | 1879.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT12N300HV IXYS
Description: IGBT 3000V 30A 160W TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT), Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns, Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 160 W.
Інші пропозиції IXBT12N300HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBT12N300HV | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK |
товар відсутній |
|
 |
IXBT12N300HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Collector-emitter voltage: 3kV Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 62nC Technology: BiMOSFET™ Collector current: 30A Pulsed collector current: 98A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 180ns Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 160W кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXBT12N300HV | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 3000V 30A 160W TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT) Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 160 W |
товар відсутній |
|
|
|
IXBT12N300HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Collector-emitter voltage: 3kV Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 62nC Technology: BiMOSFET™ Collector current: 30A Pulsed collector current: 98A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 180ns Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 160W |
товар відсутній |