IXBT16N170A IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT16N170A IXYS
Description: IGBT 1700V 16A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-268AA, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns, Switching Energy: 1.2mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції IXBT16N170A за ціною від 1289.02 грн до 2302.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBT16N170A | Виробник : IXYS |
IGBTs 1700V 16A |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|