Продукція > IXYS > IXBT16N170A
IXBT16N170A

IXBT16N170A IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33 Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1058.60 грн
2+853.02 грн
3+805.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT16N170A IXYS

Description: IGBT 1700V 16A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-268AA, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns, Switching Energy: 1.2mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції IXBT16N170A за ціною від 878.64 грн до 1585.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBT16N170A IXBT16N170A Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1270.32 грн
2+1063.00 грн
3+966.92 грн
10+930.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170A IXBT16N170A Виробник : IXYS media-3319507.pdf IGBTs 1700V 16A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1500.56 грн
10+1266.95 грн
30+1035.91 грн
60+995.84 грн
120+959.54 грн
270+914.17 грн
510+878.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170A IXBT16N170A Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+1585.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170A IXBT16N170A Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170adatasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170A IXBT16N170A Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-16n170a-datasheet?assetguid=0e64b56f-f1db-4402-935e-833c7ae1d9a8 Description: IGBT 1700V 16A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.