Продукція > IXYS > IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV IXYS

Name: IXBT16N170AHV
Brand: IXYS
SKU: 350341-8
Price: 767.36 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	874.07 грн
3+	767.36 грн

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXBT16N170AHV IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV, Technology: BiMOSFET™, Mounting: SMD, Case: TO268HV, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 65nC, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 10A, Pulsed collector current: 40A, Turn-on time: 43ns, Turn-off time: 370ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 150W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBT16N170AHV за ціною від 907.54 грн до 1048.89 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IXBT16N170AHV

Виробник : IXYS

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 19 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)