Продукція > IXYS > IXBT16N170AHV
IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV IXYS

IXBA16N170AHV.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1113.51 грн
3+919.83 грн
10+825.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT16N170AHV IXYS

Description: IGBT 1700V 16A TO-268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT), Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns, Switching Energy: 2.5mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції IXBT16N170AHV за ціною від 1516.61 грн до 1688.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBT16N170AHV Виробник : Ixys Corporation littelfuse-discrete-igbts-ixb-16n170ahv-datasheet?assetguid=b3252f19-7d0e-4201-bbe6-5bf7c9acb58a IXBT16N170AHV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+1688.87 грн
10+1516.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHV IXBT16N170AHV Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-16n170ahv-datasheet?assetguid=b3252f19-7d0e-4201-bbe6-5bf7c9acb58a Description: IGBT 1700V 16A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHV IXBT16N170AHV Виробник : IXYS ixyss09597_1-2272780.pdf IGBT Transistors IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.