Продукція > IXYS > IXBT24N170
IXBT24N170

IXBT24N170 IXYS


IXBH(t)24N170.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1326.15 грн
3+1105.87 грн
10+1033.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT24N170 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Technology: BiMOSFET™, Mounting: SMD, Case: TO268, Kind of package: tube, Turn-on time: 190ns, Turn-off time: 1285ns, Collector current: 24A, Power dissipation: 250W, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Pulsed collector current: 230A, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 0.14µC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBT24N170 за ціною від 1193.76 грн до 1591.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBT24N170 IXBT24N170 Виробник : IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1591.38 грн
3+1378.08 грн
10+1240.12 грн
30+1193.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBT24N170 Виробник : IXYS DS100190A(IXBH-BT24N170).pdf Description: IGBT 1700V 60A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBT24N170 Виробник : IXYS ixyss08879_1-2272770.pdf IGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.