IXBT24N170 IXYS

Name: IXBT24N170
Brand: IXYS
SKU: 111694-8
Price: 1406.7 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	1626.69 грн
2+	1428.15 грн
3+	1427.46 грн
10+	1406.7 грн

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXBT24N170 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Technology: BiMOSFET™, Mounting: SMD, Case: TO268, Kind of package: tube, Turn-off time: 1285ns, Turn-on time: 190ns, Pulsed collector current: 230A, Power dissipation: 250W, Collector current: 24A, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 0.14µC, Gate-emitter voltage: ±20V, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.7kV, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBT24N170 за ціною від 1646.53 грн до 1952.02 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IXBT24N170

Виробник : IXYS

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 23 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)