Продукція > IXYS > IXBT24N170
IXBT24N170

IXBT24N170 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF2EB66970D820&compId=IXBH(t)24N170.pdf?ci_sign=2bee8c9822cc9e5187f0a7830b316f81bec56b83 Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1107.53 грн
3+972.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT24N170 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Case: TO268, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 24A, Pulsed collector current: 230A, Turn-on time: 190ns, Turn-off time: 1285ns, Type of transistor: IGBT, Mounting: SMD, Power dissipation: 250W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 0.14µC, Technology: BiMOSFET™, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBT24N170 за ціною від 1136.63 грн до 1329.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBT24N170 IXBT24N170 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF2EB66970D820&compId=IXBH(t)24N170.pdf?ci_sign=2bee8c9822cc9e5187f0a7830b316f81bec56b83 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1329.04 грн
3+1211.86 грн
30+1136.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBT24N170 Виробник : IXYS DS100190A(IXBH-BT24N170).pdf Description: IGBT 1700V 60A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170 IXBT24N170 Виробник : IXYS ixyss08879_1-2272770.pdf IGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.