
IXBT24N170 IXYS

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1138.33 грн |
3+ | 999.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT24N170 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Technology: BiMOSFET™, Mounting: SMD, Case: TO268, Kind of package: tube, Turn-off time: 1285ns, Collector current: 24A, Power dissipation: 250W, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Pulsed collector current: 230A, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 0.14µC, Turn-on time: 190ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBT24N170 за ціною від 1168.24 грн до 1366.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXBT24N170 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Turn-off time: 1285ns Collector current: 24A Power dissipation: 250W Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Pulsed collector current: 230A Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 0.14µC Turn-on time: 190ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXBT24N170 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXBT24N170 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |