IXBT24N170 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1386.00 грн |
| 3+ | 1155.78 грн |
| 10+ | 1080.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT24N170 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Technology: BiMOSFET™, Mounting: SMD, Case: TO268, Kind of package: tube, Gate charge: 0.14µC, Turn-on time: 190ns, Turn-off time: 1285ns, Collector current: 24A, Power dissipation: 250W, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Pulsed collector current: 230A, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: high voltage.
Інші пропозиції IXBT24N170
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBT24N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1700V 60A 250W TO268 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXBT24N170 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs |
товару немає в наявності |