Продукція > IXYS > IXBT2N250-TR

IXBT2N250-TR IXYS



Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5A TO268
Power - Max: 32 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Gate Charge: 10.6 nC
Test Condition: 2000V, 2A, 47Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Supplier Device Package: TO-268
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT2N250-TR IXYS

Description: IGBT 2500V 5A TO268, Power - Max: 32 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Gate Charge: 10.6 nC, Test Condition: 2000V, 2A, 47Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, Supplier Device Package: TO-268, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A, Reverse Recovery Time (trr): 920 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IXBT2N250-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBT2N250-TR IXBT2N250-TR IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_2N250_Datas-1621700.pdf MOSFET IXBT2N250 TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250-TR Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_2N250_Datas-1621700.pdf
IXBT2N250-TR
Виробник: IXYS
MOSFET IXBT2N250 TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.