IXBT2N250 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1589.77 грн |
| 30+ | 974.60 грн |
| 120+ | 901.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT2N250 IXYS
Description: IGBT 2500V 5A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 920 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: TO-268AA, Gate Charge: 10.6 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A, Power - Max: 32 W.
Інші пропозиції IXBT2N250 за ціною від 968.55 грн до 1741.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBT2N250 | IXYS |
IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXBT2N250 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Gate charge: 10.6nC Turn-on time: 310ns Turn-off time: 252ns Power dissipation: 32W Collector current: 2A Pulsed collector current: 13A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 2.5kV Kind of package: tube Technology: BiMOSFET™ Case: TO268 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IXBT2N250 |
|
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1601.13 грн |
| 10+ | 1460.76 грн |
| 30+ | 1134.23 грн |
| 60+ | 1101.78 грн |
| 120+ | 1066.58 грн |
| 510+ | 968.55 грн |
| IXBT2N250 |
|
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.6nC
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
Case: TO268
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.6nC
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
Case: TO268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1741.45 грн |
| 10+ | 1459.18 грн |