Продукція > IXYS > IXBT2N250
IXBT2N250

IXBT2N250 IXYS


littelfuse-discrete-igbts-ixb-2n250-datasheet?assetguid=42cb674d-92ab-4b5a-a58c-89fd6d0de934
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1609.30 грн
30+986.57 грн
120+912.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT2N250 IXYS

Description: IGBT 2500V 5A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 920 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: TO-268AA, Gate Charge: 10.6 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A, Power - Max: 32 W.

Інші пропозиції IXBT2N250 за ціною від 980.45 грн до 1762.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBT2N250 IXBT2N250 Виробник : IXYS media-3320361.pdf IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1620.80 грн
10+1478.71 грн
30+1148.17 грн
60+1115.32 грн
120+1079.68 грн
510+980.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250 IXBT2N250 Виробник : IXYS IXBH(T)2N250.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.6nC
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
Case: TO268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1762.85 грн
10+1477.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250 littelfuse-discrete-igbts-ixb-2n250-datasheet?assetguid=42cb674d-92ab-4b5a-a58c-89fd6d0de934 BIMOSFET IGBT 2500V, Ic(max)=5A, TO-268AA (D3Pak) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.