Продукція > IXYS > IXBT42N170-TRL

IXBT42N170-TRL IXYS



Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 80A TO268
Power - Max: 360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 188 nC
Test Condition: 850V, 42A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/340ns
Supplier Device Package: TO-268
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT42N170-TRL IXYS

Description: IGBT 1700V 80A TO268, Power - Max: 360 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Gate Charge: 188 nC, Test Condition: 850V, 42A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/340ns, Supplier Device Package: TO-268, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A, Input Type: Standard, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IXBT42N170-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBT42N170-TRL IXBT42N170-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_42N170_Data-1621861.pdf MOSFET IXBT42N170 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_42N170_Data-1621861.pdf
IXBT42N170-TRL
Виробник: IXYS
MOSFET IXBT42N170 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.