Продукція > LITTELFUSE > IXBT42N170
IXBT42N170

IXBT42N170 LITTELFUSE

littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170_datasheet.pdf.pdf Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXBT42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2217.58 грн
5+2030.42 грн
10+1843.26 грн
50+1537.81 грн
100+1259.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT42N170 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXBT42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BiMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXBT42N170 за ціною від 1276.55 грн до 2277.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBT42N170 IXBT42N170 Виробник : IXYS media-3323067.pdf IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2277.71 грн
10+1659.02 грн
30+1434.97 грн
60+1276.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170 IXBT42N170
Код товару: 37260
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170_datasheet.pdf.pdf IXBT42N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170 IXBT42N170 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 80A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.