на замовлення 939 шт:
термін постачання 314-323 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2133.79 грн |
| 10+ | 1526.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT42N170 IXYS
Description: IGBT 1700V 80A TO268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A, Supplier Device Package: TO-268AA, Gate Charge: 188 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 360 W.
Інші пропозиції IXBT42N170
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBT42N170 Код товару: 37260 |
 Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||
 |
IXBT42N170 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; D3PAK Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; FRED Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 42A Power dissipation: 360W Case: D3PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 188nC Kind of package: tube Turn-on time: 224ns Turn-off time: 1.07µs Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXBT42N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1700V 80A TO268AA Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A Supplier Device Package: TO-268AA Gate Charge: 188 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 360 W |
товар відсутній |
|
|
|
IXBT42N170 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; D3PAK Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; FRED Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 42A Power dissipation: 360W Case: D3PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 188nC Kind of package: tube Turn-on time: 224ns Turn-off time: 1.07µs Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |