IXBT6N170 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 17 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1183.92 грн |
| 30+ | 705.47 грн |
| 120+ | 613.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT6N170 IXYS
Description: IGBT 1700V 12A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: TO-268AA, Gate Charge: 17 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A, Power - Max: 75 W.
Інші пропозиції IXBT6N170 за ціною від 898.53 грн до 1280.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBT6N170 | Виробник : IXYS |
IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXBT6N170 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; D3PAK Case: D3PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Gate charge: 17nC Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Power dissipation: 75W Collector current: 6A Pulsed collector current: 36A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™; FRED Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |