.jpg "IXBX25N250")
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3055.99 грн |
| 10+ | 2745.12 грн |
| 100+ | 2383.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBX25N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™, Type of transistor: IGBT, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Collector current: 25A, Power dissipation: 300W, Case: PLUS247™, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 180A, Mounting: THT, Gate charge: 103nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 694ns, Turn-off time: 650ns, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBX25N250 за ціною від 2678.95 грн до 3496.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBX25N250 | Виробник : IXYS |
 IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXBX25N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXBX25N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 25A Power dissipation: 300W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Turn-on time: 694ns Turn-off time: 650ns Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXBX25N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 25A Power dissipation: 300W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Turn-on time: 694ns Turn-off time: 650ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |