на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3126.20 грн |
| 10+ | 2994.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBX25N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™, Mounting: THT, Case: PLUS247™, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 103nC, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 25A, Pulsed collector current: 180A, Turn-on time: 694ns, Turn-off time: 650ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 300W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBX25N250 за ціною від 2707.63 грн до 3471.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXBX25N250") |
IXBX25N250 | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT 2500V 55A 300W PLUS247 |
на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXBX25N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXBX25N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™ Mounting: THT Case: PLUS247™ Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 103nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 694ns Turn-off time: 650ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 300W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXBX25N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™ Mounting: THT Case: PLUS247™ Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 103nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 694ns Turn-off time: 650ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 300W |
товару немає в наявності |