IXBX50N360HV LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 125A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4798.03 грн |
| 5+ | 4704.91 грн |
| 10+ | 4610.95 грн |
| 50+ | 4195.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBX50N360HV LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660W, Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BiMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 125A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXBX50N360HV за ціною від 3666.28 грн до 5581.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBX50N360HV | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 125 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A Power - Max: 660 W |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXBX50N360HV | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 3600V/125A Reverse Conducting IGBT |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXBX50N360HV | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 3600V 125A 660000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247PLUS-HV |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXBX50N360HV | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3.6kV; 50A; 660W; TO247HV Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Case: TO247HV Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Collector-emitter voltage: 3.6kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 420A Turn-on time: 889ns Turn-off time: 1.88µs Power dissipation: 660W кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXBX50N360HV | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3.6kV; 50A; 660W; TO247HV Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Case: TO247HV Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Collector-emitter voltage: 3.6kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 420A Turn-on time: 889ns Turn-off time: 1.88µs Power dissipation: 660W |
товару немає в наявності |