Продукція > IXYS > IXBX50N360HV

IXBX50N360HV IXYS



Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4725.04 грн
30+3488.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBX50N360HV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V, Verlustleistung: 660W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV, Dauerkollektorstrom: 125A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BiMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IXBX50N360HV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXBX50N360HV IXBX50N360HV IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXBX50N360HV_Datasheet.PDF IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HV IXBX50N360HV LITTELFUSE Description: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Verlustleistung: 660W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Dauerkollektorstrom: 125A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HV Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXBX50N360HV_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HV
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Verlustleistung: 660W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Dauerkollektorstrom: 125A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.