Продукція > IXYS > IXBX75N170A
IXBX75N170A

IXBX75N170A IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAFC0C39CA5B820&compId=IXBX75N170A.pdf?ci_sign=d10657b8b2b4f9db7853bcb3369954eba2738585 Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 358nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 595ns
Power dissipation: 1.04kW
Collector current: 65A
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2007.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBX75N170A IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™, Case: PLUS247™, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate charge: 358nC, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 595ns, Power dissipation: 1.04kW, Collector current: 65A, Pulsed collector current: 300A, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Technology: BiMOSFET™, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBX75N170A за ціною від 2409.43 грн до 2409.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBX75N170A IXBX75N170A Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAFC0C39CA5B820&compId=IXBX75N170A.pdf?ci_sign=d10657b8b2b4f9db7853bcb3369954eba2738585 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 358nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 595ns
Power dissipation: 1.04kW
Collector current: 65A
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2409.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX75N170A IXBX75N170A Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbx75n170a_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX75N170A IXBX75N170A Виробник : IXYS ixys_s_a0002788627_1-2272613.pdf IGBT Transistors 65Amps 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.