Продукція > IXYS > IXD2012NTR
IXD2012NTR

IXD2012NTR IXYS


ixd2012n-data-sheet?assetguid=c97f5428-6f19-4399-b112-7bd50275dd2b
Виробник: IXYS
Description: Half-Bridge Driver 200V 1.4A SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
на замовлення 52500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.87 грн
5000+25.22 грн
7500+24.89 грн
12500+23.02 грн
17500+22.82 грн
25000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXD2012NTR IXYS

Description: Half-Bridge Driver 200V 1.4A SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 20ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V, Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A.

Інші пропозиції IXD2012NTR за ціною від 24.88 грн до 59.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXD2012NTR IXD2012NTR Виробник : IXYS ixd2012n-data-sheet?assetguid=c97f5428-6f19-4399-b112-7bd50275dd2b Description: Half-Bridge Driver 200V 1.4A SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.39 грн
10+39.52 грн
25+35.64 грн
100+29.38 грн
250+27.43 грн
500+26.26 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXD2012NTR IXD2012NTR Виробник : IXYS Integrated Circuits IXD2012N.pdf Gate Drivers Half-Bridge Driver 200V 1.4A SOIC(N)-8
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.60 грн
10+42.11 грн
25+32.98 грн
100+29.00 грн
250+27.11 грн
500+25.93 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXD2012NTR Виробник : IXYS ixd2012n-data-sheet?assetguid=c97f5428-6f19-4399-b112-7bd50275dd2b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; 2.3A; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Topology: H-bridge
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Pulse fall time: 20ns
Impulse rise time: 30ns
Power dissipation: 0.625W
Number of channels: 2
Maximum output current: 2.3A
Output current: 2.3A
Supply voltage: 10...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.