на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 227+ | 54.78 грн |
| 233+ | 53.32 грн |
| 236+ | 52.78 грн |
| 250+ | 50.38 грн |
| 500+ | 46.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXDN602SIATR Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°C, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 35V, Eingabeverzögerung: 35ns, Ausgabeverzögerung: 38ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IXDN602SIATR за ціною від 40.81 грн до 173.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXDN602SIATR | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 35V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR Код товару: 197602
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Драйвери транзисторів |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 19498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : IXYS Integrated Circuits Division |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 35V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 7.5ns, 6.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 19498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : IXYS Integrated Circuits |
Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET |
на замовлення 6355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : IXYS Integrated Circuits Division |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 35V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 7.5ns, 6.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 8317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN602SIATR - MOSFET-Treiber, Low-Side, 2Aout, 4.5V bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 35V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IXDN602SIATR | Виробник : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
IXDN602SIATR | Виробник : IXYS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -2...2A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...35V Kind of output: non-inverting Turn-on time: 93ns Turn-off time: 93ns |
товару немає в наявності |




