IXDP20N60BD1 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 600V 32A 140W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 900µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXDP20N60BD1 IXYS
Description: IGBT 600V 32A 140W TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: NPT, Switching Energy: 900µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 300V, 20A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 32 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 140 W.
Інші пропозиції IXDP20N60BD1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXDP20N60BD1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 20 Amps 600V |
товар відсутній |