Продукція > IXYS > IXDP35N60B
IXDP35N60B

IXDP35N60B IXYS


IXDP35N60B.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 250W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 300V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXDP35N60B IXYS

Description: IGBT 600V 60A 250W TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: NPT, Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 300V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IXDP35N60B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXDP35N60B IXDP35N60B Виробник : IXYS IXDP35N60B.pdf IGBT Transistors 35 Amps 600V
товар відсутній