Продукція > IXYS > IXDR30N120D1
IXDR30N120D1

IXDR30N120D1 IXYS


media-3322578.pdf Виробник: IXYS
IGBT Transistors 30 Amps 1200V
на замовлення 262 шт:

термін постачання 485-494 дні (днів)
Кількість Ціна
1+985.32 грн
10+970.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXDR30N120D1 IXYS

Description: IGBT NPT 1200V 50A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: NPT, Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції IXDR30N120D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXDR30N120D1 IXDR30N120D1 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixdr30n120___datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 200000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDR30N120D1 IXDR30N120D1 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixdr30n120-datasheet?assetguid=be3c1bbb-b25f-4954-9336-3a8f5da0b1b0 Description: IGBT NPT 1200V 50A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.