Технічний опис IXER60N120
- IGBT, ISOPLUS247
- Transistor Type:IGBT
- DC Collector Current:95A
- Max Voltage Vce Sat:2.1V
- Max Power Dissipation:375W
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1.2kV
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Case Style:ISOPLUS-247
- Fall Time Tf:50ns
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.33`C/W
- Max Current Ic Continuous a:95A
- Pin Configuration:Single
- Power Dissipation:375W
- Rise Time:50ns
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:NPN
- Voltage Vces:1200V
Інші пропозиції IXER60N120
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXER60N120 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: NPT Switching Energy: 7.2mJ (on), 4.8mJ (off) Test Condition: 600V, 60A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 350 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 95 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 375 W |
товар відсутній |
||
IXER60N120 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors 60 Amps 1200V |
товар відсутній |