| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 424.04 грн |
| 10+ | 273.08 грн |
| 50+ | 215.02 грн |
| 100+ | 184.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA10N60P-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; D2PAK; 200ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10A, Power dissipation: 200W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: 30V, On-state resistance: 0.74Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 200ns, Gate charge: 32nC.
Інші пропозиції IXFA10N60P-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA10N60P-TRL | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
IXFA10N60P-TRL | IXYS | MOSFETs 600V 10A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFA10N60P-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; D2PAK; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™ Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 0.74Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 32nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXFA10N60P-TRL |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 10A
MOSFETs 600V 10A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFA10N60P-TRL |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; D2PAK; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 32nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; D2PAK; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 32nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.