| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 419.32 грн |
| 10+ | 269.93 грн |
| 50+ | 212.50 грн |
| 100+ | 182.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA10N60P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10A, Power dissipation: 200W, Case: TO263, On-state resistance: 0.74Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 120ns, Gate charge: 32nC.
Інші пропозиції IXFA10N60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA10N60P | IXYS |
 MOSFETs 600V 10A |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFA10N60P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 10A
MOSFETs 600V 10A
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)