на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 354.63 грн |
| 10+ | 211.30 грн |
| 500+ | 179.96 грн |
| 1000+ | 167.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA10N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA10N60P за ціною від 167.56 грн до 366.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA10N60P | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFA10N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFA10N60P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO263 On-state resistance: 0.74Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFA10N60P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO263 On-state resistance: 0.74Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 120ns |
товару немає в наявності |