Продукція > IXYS > IXFA10N80P
IXFA10N80P

IXFA10N80P IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 9031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+444.62 грн
10+286.77 грн
50+226.40 грн
100+194.23 грн
500+162.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA10N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFA10N80P за ціною від 198.01 грн до 465.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+465.42 грн
3+387.81 грн
5+209.52 грн
13+198.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 8813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.42 грн
3+387.81 грн
5+209.52 грн
13+198.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N80P_Datasheet.PDF
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 8813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.