IXFA110N15T2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 357.83 грн |
| 3+ | 298.98 грн |
| 4+ | 237.93 грн |
| 10+ | 225.45 грн |
| 50+ | 224.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA110N15T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 110A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA110N15T2 за ціною від 259.71 грн до 475.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFA110N15T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 110A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 85ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFA110N15T2 | Виробник : IXYS |
MOSFET 110Amps 150V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFA110N15T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXFA110N15T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 110A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V |
товар відсутній |