Продукція > IXYS > IXFA110N15T2
IXFA110N15T2

IXFA110N15T2 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A33DBB971E9820&compId=IXFA(P)110N15T2.pdf?ci_sign=1d332224bb7b48f25e03aad92d567e7b0f5abeb3 Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Case: TO263
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.01 грн
4+265.23 грн
10+250.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA110N15T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 110A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFA110N15T2 за ціною від 280.61 грн до 561.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 Виробник : IXYS media-3323483.pdf MOSFETs 110Amps 150V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.03 грн
10+459.29 грн
50+338.51 грн
100+302.88 грн
250+291.00 грн
500+283.58 грн
1000+280.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A33DBB971E9820&compId=IXFA(P)110N15T2.pdf?ci_sign=1d332224bb7b48f25e03aad92d567e7b0f5abeb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Case: TO263
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.61 грн
4+330.52 грн
10+300.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_110n15t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 Виробник : IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.