Продукція > IXYS > IXFA130N10T2
IXFA130N10T2

IXFA130N10T2 IXYS

IXFA(P)130N10T2.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+404.76 грн
10+326.75 грн
50+245.49 грн
100+234.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA130N10T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFA130N10T2 за ціною від 177.44 грн до 552.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA130N10T2 IXFA130N10T2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-130n10t2-datasheet?assetguid=53ea8d95-36ce-45ea-8f7b-5cb34f339de3 Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.34 грн
50+261.29 грн
100+239.48 грн
500+188.93 грн
1000+177.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2 IXFA130N10T2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_130N10T2_Datasheet.PDF MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.17 грн
10+363.93 грн
100+253.88 грн
500+225.75 грн
1000+210.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-130n10t2-datasheet?assetguid=53ea8d95-36ce-45ea-8f7b-5cb34f339de3
IXFA130N10T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.34 грн
50+261.29 грн
100+239.48 грн
500+188.93 грн
1000+177.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_130N10T2_Datasheet.PDF
IXFA130N10T2
Виробник: IXYS
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.17 грн
10+363.93 грн
100+253.88 грн
500+225.75 грн
1000+210.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.