IXFA14N60P-TRL IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA14N60P-TRL IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA14N60P-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA14N60P-TRL | IXYS |
MOSFETs IXFA14N60P TRL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFA14N60P-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 14A; 300W; D2PAK,TO263; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™ Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 36nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXFA14N60P-TRL |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs IXFA14N60P TRL
MOSFETs IXFA14N60P TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFA14N60P-TRL |
|
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 14A; 300W; D2PAK,TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 36nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 14A; 300W; D2PAK,TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.