IXFA14N85XHV IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 14A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA14N85XHV IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 14A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263 (IXFA), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXFA14N85XHV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA14N85XHV |
MOSFET N-CH 850V 14A TO-263 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IXFA14N85XHV | IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFA14N85XHV | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO263HV; 116ns Mounting: SMD Power dissipation: 460W Gate charge: 30nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Drain current: 14A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 850V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO263HV On-state resistance: 0.55Ω Reverse recovery time: 116ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFA14N85XHV |
|
MOSFET N-CH 850V 14A TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFA14N85XHV |
|
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFA14N85XHV |
|
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO263HV; 116ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 460W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.55Ω
Reverse recovery time: 116ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO263HV; 116ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 460W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.55Ω
Reverse recovery time: 116ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.