
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 397.93 грн |
10+ | 329.76 грн |
50+ | 221.85 грн |
500+ | 217.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA16N50P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 16A, Power dissipation: 300W, Case: TO263, On-state resistance: 0.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 43nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: HiPerFET™; Polar™, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFA16N50P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFA16N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFA16N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFA16N50P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFA16N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ |
товару немає в наявності |