Продукція > IXYS > IXFA180N10T2
IXFA180N10T2

IXFA180N10T2 IXYS

media-3323852.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.97 грн
50+298.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA180N10T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFA180N10T2 за ціною від 291.13 грн до 606.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA180N10T2 IXFA180N10T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 66ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.43 грн
3+316.24 грн
8+299.15 грн
50+294.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2 IXFA180N10T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 66ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.12 грн
3+394.09 грн
8+358.98 грн
50+353.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2 IXFA180N10T2 Виробник : Littelfuse Inc. IXF%28A%2CP%29180N10T2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+606.79 грн
50+316.94 грн
100+291.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2 IXFA180N10T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.