на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 730.62 грн |
| 10+ | 463.48 грн |
| 100+ | 372.55 грн |
| 500+ | 343.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA20N85XHV IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO263, Mounting: SMD, Case: TO263, On-state resistance: 0.33Ω, Drain current: 20A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 540W, Drain-source voltage: 850V, Kind of channel: enhancement, Technology: HiPerFET™; X-Class, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate charge: 63nC, Reverse recovery time: 190ns.
Інші пропозиції IXFA20N85XHV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFA20N85XHV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товару немає в наявності |
|
|
IXFA20N85XHV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO263 |
товару немає в наявності |
|
|
IXFA20N85XHV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 On-state resistance: 0.33Ω Drain current: 20A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 540W Drain-source voltage: 850V Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X-Class Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 63nC Reverse recovery time: 190ns |
товару немає в наявності |


