Продукція > IXYS > IXFA22N60P3
IXFA22N60P3

IXFA22N60P3 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_22n60p3_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+257.83 грн
Мінімальне замовлення: 300
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA22N60P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFA22N60P3 за ціною від 211.73 грн до 392.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 Виробник : IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+327.13 грн
3+ 273.31 грн
4+ 224.19 грн
10+ 211.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 Виробник : IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+392.55 грн
3+ 340.59 грн
4+ 269.02 грн
10+ 254.08 грн
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 Виробник : IXYS media-3320106.pdf MOSFET MOSFET DISCRETE
товар відсутній