Продукція > IXYS > IXFA22N60P3
IXFA22N60P3

IXFA22N60P3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 390mΩ
Power dissipation: 500W
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 600V
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.21 грн
3+261.75 грн
4+235.81 грн
10+231.10 грн
11+222.45 грн
50+213.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA22N60P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFA22N60P3 за ціною від 256.57 грн до 375.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 390mΩ
Power dissipation: 500W
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 600V
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.85 грн
3+326.19 грн
4+282.98 грн
10+277.32 грн
11+266.94 грн
50+256.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 Виробник : IXYS media-3320106.pdf MOSFETs TO263 600V 22A N-CH POLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.