Продукція > IXYS > IXFA34N65X2
IXFA34N65X2

IXFA34N65X2 IXYS

media-3319222.pdf
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA34N65X2 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 34A, Case: TO263, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 164ns, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Gate charge: 56nC, Power dissipation: 540W.

Інші пропозиції IXFA34N65X2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFA34N65X2 IXFA34N65X2 IXYS IXFA34N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 540W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2 IXFA34N65X2.pdf
IXFA34N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 540W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.