на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 365.02 грн |
| 10+ | 315.38 грн |
| 100+ | 258.4 грн |
| 500+ | 206.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA36N30P3 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 36A, Power dissipation: 347W, Case: TO263, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 125ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFA36N30P3 за ціною від 244.45 грн до 388.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA36N30P3 | Виробник : IXYS |
 MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-POLAR3 |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFA36N30P3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 125ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFA36N30P3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 125ns |
товар відсутній |