IXFA3N120
Код товару: 83348
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXFA3N120 за ціною від 356.22 грн до 724.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFA3N120 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain current: 3A Gate charge: 39nC Power dissipation: 200W |
на замовлення 317 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFA3N120 | IXYS |
MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXFA3N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: 3A
Gate charge: 39nC
Power dissipation: 200W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: 3A
Gate charge: 39nC
Power dissipation: 200W
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 672.95 грн |
| 3+ | 558.41 грн |
| 5+ | 517.69 грн |
| 10+ | 457.86 грн |
| 20+ | 454.54 грн |



