IXFA3N120 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Power dissipation: 200W
Drain current: 3A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 666.09 грн |
| 3+ | 566.25 грн |
| 5+ | 528.23 грн |
| 10+ | 467.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA3N120 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA3N120 за ціною від 392.30 грн до 1012.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA3N120 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFA3N120 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 39nC Power dissipation: 200W Drain current: 3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFA3N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFA3N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFA3N120 Код товару: 83348
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
 |
IXFA3N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IXFA3N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IXFA3N120 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |