Продукція > IXYS > IXFA4N100P-TRL

IXFA4N100P-TRL IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IX-1621824.pdf
Виробник: IXYS
MOSFETs IXFA4N100P TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 353-362 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA4N100P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 4A; 150W; D2PAK,TO263; 300ns, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Case: D2PAK; TO263, On-state resistance: 3.3Ω, Reverse recovery time: 300ns, Power dissipation: 150W, Gate charge: 26nC, Technology: HiPerFET™, Drain current: 4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.

Інші пропозиції IXFA4N100P-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFA4N100P-TRL IXFA4N100P-TRL IXYS Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 4A; 150W; D2PAK,TO263; 300ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 3.3Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 150W
Gate charge: 26nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 4A; 150W; D2PAK,TO263; 300ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 3.3Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 150W
Gate charge: 26nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.