Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFA4N100P
IXFA4N100P

IXFA4N100P Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n100p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.23 грн
50+175.56 грн
100+161.44 грн
500+129.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA4N100P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V.

Інші пропозиції IXFA4N100P за ціною від 158.55 грн до 385.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA4N100P IXFA4N100P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_4N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 4 Amps 1000V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.37 грн
10+198.33 грн
100+158.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100P IXFA4N100P Виробник : IXYS IXFA(P)4N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.