| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 423.27 грн |
| 10+ | 272.52 грн |
| 50+ | 214.48 грн |
| 100+ | 183.75 грн |
| 500+ | 153.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA4N100P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 4A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Mounting: SMD, Gate charge: 26nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: HiPerFET™; Polar™.
Інші пропозиції IXFA4N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA4N100P | IXYS |
 MOSFETs 4 Amps 1000V |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFA4N100P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 4 Amps 1000V
MOSFETs 4 Amps 1000V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)