Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFA4N100Q
IXFA4N100Q

IXFA4N100Q Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.77 грн
50+367.37 грн
100+341.75 грн
500+311.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA4N100Q Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc).

Інші пропозиції IXFA4N100Q за ціною від 381.78 грн до 801.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA4N100Q IXFA4N100Q Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf MOSFETs 4 Amps 1000V 2.8 Rds
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.57 грн
10+598.99 грн
100+433.93 грн
500+386.65 грн
1000+381.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q IXFA4N100Q Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 150W; TO263AA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO263AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.