IXFA4N100Q IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 864.55 грн |
| 10+ | 576.20 грн |
| 50+ | 466.68 грн |
| 100+ | 404.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA4N100Q IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc).
Інші пропозиції IXFA4N100Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA4N100Q | IXYS |
MOSFETs 4 Amps 1000V 2.8 Rds |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFA4N100Q |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 4 Amps 1000V 2.8 Rds
MOSFETs 4 Amps 1000V 2.8 Rds
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)