Продукція > IXYS > IXFA4N85X
IXFA4N85X

IXFA4N85X IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4F1EA58927820&compId=IXFA(P%2CY)4N85X.pdf?ci_sign=ac7ec9ad54f7266b7370f6dc839c56f4f0e65db5 Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3.5A; Idm: 10A; 150W
Mounting: SMD
Case: TO263
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Reverse recovery time: 170ns
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.43 грн
9+106.94 грн
24+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA4N85X IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3.5A; Idm: 10A; 150W, Mounting: SMD, Case: TO263, On-state resistance: 2.5Ω, Drain current: 3.5A, Pulsed drain current: 10A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 150W, Drain-source voltage: 850V, Kind of channel: enhancement, Technology: HiPerFET™; X-Class, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Polarisation: unipolar, Gate charge: 7nC, Reverse recovery time: 170ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXFA4N85X за ціною від 121.73 грн до 350.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA4N85X IXFA4N85X Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4F1EA58927820&compId=IXFA(P%2CY)4N85X.pdf?ci_sign=ac7ec9ad54f7266b7370f6dc839c56f4f0e65db5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3.5A; Idm: 10A; 150W
Mounting: SMD
Case: TO263
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Reverse recovery time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.72 грн
9+133.27 грн
24+121.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85X IXFA4N85X Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.32 грн
10+303.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85X IXFA4N85X Виробник : IXYS DS100768(IXFY-FA-FP4N85X)_-1092833.pdf MOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-263
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.