Продукція > IXYS > IXFA5N100P-TRL
IXFA5N100P-TRL

IXFA5N100P-TRL IXYS


Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA5N100P-TRL IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFA5N100P-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFA5N100PTRL IXFA5N100PTRL Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_5n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA5N100P-TRL IXFA5N100P-TRL Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IX-1621851.pdf MOSFET IXFA5N100P TRL
товар відсутній